场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用的半导体晶体管，它的开关状态是运作整体器件性能的基础。由此，对其开关状态的研究和理解对园了解半导体器件的特性及工作原理至关重要。
场效应管又分为N型及P型，其本质上都是两个晶体管组成，并使用MOS结构来控制芯片上的通断电流，通常会用三个引脚，即源端S、漏端D、及控制端G。当G端电压为正时，场效应管会开启，此时S到D端电路会通过；若G端电压为负，则源端到漏端电路会不通，而采用此种机制的核心原理就是通过电场的改变来作为对电流的控制方式。
这种电场电压控制的特性意味着在调整场效应管的开关模式时，尤其是在触发场效应管的电压变化时，需要考虑到比较复杂的安全因素。例如，当电源泄漏时，如果不小心引发场效应管的电场变动，可能会导致电路出现短路，或者发生超负荷，其后果可能是严重的。
此外，在使用场效应管的时候，亦应注意控制电压的大小，需要保持在安全的范围内。因为若控制电压过大，场效应管就会受过度供电而损坏，因此在使用和调节过程中都要衡量尽量保障电压大小控制在正常的范围内，这样才能保证场效应管的使用性能也及安全性。
总之，在使用场效应管的时候，应尽可能小心谨慎，在注意上述提示的情况下，调节场效应管的电势，合理控制其开关状态，才能保障其长期可靠和安全的使用。
