场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种现代继电器技术，它的出现极大地改变了电力电子学领域的技术发展潮流。其中，场效应管作为一种不凡的半导体器件，具有体积小、价格低廉等优点，在各种电子设备的选型中常常被采用。其中最受欢迎的就是IRFP450场效应管，它具有抗坏能力较强的优点，因此在军工、通信、航空、汽车等领域被广泛应用。
IRFP450场效应管比较容易出现坏的情况，其原因通常是外部干扰和温度影响造成的。外部干扰如电磁波、长时间运行、高压干扰及辐照等均可以损坏场效应管；温度影响主要是因为太高温度可使元器件参数发生变化，从而影响场效应管的功能及寿命。
尽管IRFP450场效应管比较容易出现坏的情况，但设计者可以采取一定的措施加以预防。如设法抑制外部干扰，采用有效的抗扰性控制，而且应该根据条件确定正确的温度范围以保护管件，在温度范围内把握绝缘水平以避免带电，确保FET（场效应管）的正常运行。
总的来说，IRFP450场效应管确实有一定的抗坏能力，但管件仍然会容易出现坏的情况，因此，使用者在使用的过程中还要注意保护维护，以避免由于过度热量、干扰等造成的损坏。
