场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种基于场效应的三极管，它的放大特性很好，因此极受欢迎。场效应管放大本身有几种分类，它们统称为"场效应管放大区"。
场效应管放大区由若干类型的场效应管组成，它们可以按照功能和结构来划分。例如，有双极场效应管（Bipolar FET）、单极场效应管（Unipolar FET）、电容性场效应管（Capacitive FET）、非线性场效应管（Nonlinear FET）等。这些都属于场效应管放大区中的不同类型。
在各种场效应管放大区中，双极场效应管放大（Bipolar FET Amplification）最常见。这是一种基于场效应的双极管放大结构，可以将输入信号转换为相似的输出信号。它的放大特性很好，因此很受欢迎。这种放大结构的特点有：
1. 灵活性：在场效应管放大中，可以调整输入信号的功率、阻抗、频率等参数，从而使输出信号能够满足不同的应用需要；
2. 功耗小：在双极场效应管放大中，功耗小、耗能低，使放大系统能够节省能源；
3. 干扰小：双极场效应管放大也有很高的电磁屏蔽性，即它可以有效阻抑干扰信号的传播；
4. 抗电磁干扰：在双极场效应管放大系统中，一般放大空间里的所有元件都是有机化的，设计时可以有效防止外部的电磁干扰被传入系统内部。
场效应管放大系统可以满足众多领域的应用，比如音频/视频处理、汽车控制、电机驱动、医疗器械等等。它具有低功耗、节能、高性能、低干扰等优异性能，是近年来研发和应用最广泛的放大技术之一。
