场效应管（Field Effect Transistor，FET）代换原则是在工业识别学和计算机科学中普遍应用的规则。它指出，一个电子管应该如何对待场效应管的替换--通常是晶体管和电动发动机（motor）。
这种原则是根据一定的参数发展出来进行模拟及电子设备设计的经验法则。根据场效应管代换原则，可以很容易地设计出适合FET替换的电路。在这种原则下，会考虑电子元件的实际特性，包括输入和输出电流，增益，失调，电磁兼容性，可靠性等，并将它们有效地应用到替换的设计当中。
这种原则通常应用于设计电子元件，用于工业机器、家用产品、医疗仪器和其他科学仪器，在这些方面得到许多用途，而且它的使用还在增加。例如，采用场效应管代换原则可以有效地替换现有的电子元件或模块，可以缩短设计周期、减少制造成本，以及提高整体性能和可靠性。
总之，场效应管代换原则是一种经验规则，可以有效替换电子元件和模块，同时提高设计质量和使用者体验。上述元件替换方面，也是后续许多新型电子元件中的一个重要的参考指标。
