场效应管噪声（field-effect transistor, FET）是一种不受外界电场影响的噪声，它是由场效应晶体管的漏极射流电流所产生的噪声，其电流只受场效应晶体管上的电场强度的影响，不受外界电场的影响。场效应晶体管的噪声性能决定了其在接收机和放大器中的应用技术，也影响了许多信号处理应用系统的噪声特性。
在噪声研究中，场效应晶体管是一种重要的研究对象。它具有振荡噪声紊乱和温度敏感噪声，并控制晶体管的噪声表现。另外，它还会影响晶体管的调制性能，减少调制误差，提高信号质量，更重要的是，它可以改进系统的性能，减少信号处理时产生的噪声。
随着电子技术的发展，场效应晶体管的应用日益广泛，因此，对场效应晶体管噪声的研究也日益重要。尽管现在已经可以通过计算机模拟等方式，准确的模拟出晶体管的噪声，但对FET噪声的实际测量相对较少，特别是当电子系统的尺寸越来越小时，在系统抗噪方面提出了更高的要求，而FET抗噪能力的提高，就显得尤为重要。因此，研究FET噪声对于更加准确的提升系统抗噪水平至关重要。
总之，场效应晶体管噪声有着重要的应用价值，针对这种噪声的研究也越来越重要。对场效应晶体管噪声的准确研究有助于改善信号处理效果，充分发挥其在电子技术中的应用价值。
