可变电阻区是场效应管（Field-Effect transistor，FET）的核心部件，其具有可变性能，能够影响功率放大器的性能。该部件可以改变场效应管的阻尼和增益，这对于精细调零也非常重要。
可变电阻区主要由两部分组成：静电路元件和动态电路元件，包括交叉细分线、混频器等等。动态电路元件可以帮助控制电流稳定，改善系统的传送性能，一般使用双极型场效应管（Bipolar Junction Transistor，BJT）来工作。其中，动态电路元件如熔断器功能或反ツェナー级，都被用于控制可变电阻阻值的变化。
可变电阻区的另一种核心部件是多级配置（Multistage Configuration），它能够使功率放大器输出更多的功率，从而提高发射效能和增益范围。可变电阻区以两种结构形式出现，一种通过多级配置和比较网络，能够通过压差（差分）调节可变电阻阻值；另一种结构可以直接操纵可变电阻阻值，这就是所谓的正弦波多级配置（sinusoidal multi-stage configuration）。
可变电阻区是场效应管的核心部件，因其性能灵活，所以得到了广泛的应用。它能够通过可变性能而改变场效应管的阻尼和增益，能够得到多种功率放大器输出值和准确的场效应管功率放大。
