场效应管（Field Effect Transistor）是由美国物理学家BR Bohn在1950年发明的一种可用于检测小电场变化的量子效应晶体管。它主要利用电场作用来改变晶体管的饱和度电流，从而控制量子级的电流。由于其外部结构简单，灵敏度极高，因而可将其应用到各种场合中去，如在生物材料研究和信号检测等。
在电子测量和非线性特性分析中，场效应管具有广泛的应用前景。例如，它可用于高分辨率的模拟量度，以及高精度的电路中，特别是对有源器件进行精确的测量性能分析工作。当前由于具有分辨率高、精度高的特点，场效应管已经成为许多科学研究及实验室工作中非常重要的应用设备。
另外，利用多个场效应管的的复合管可以实现对电路的量化测量，它能够很好地结合多种特性，比如：低时延、低出现电流及低失真度，在这一过程中，其灵敏度也有了很大提高。
总之，场效应管不仅在电子测量中有广泛的应用前景，而且也在量化测量中具有重要的作用，成为实验室及科学研究中不可或缺的设备。
