场效应管（Field Effect Transistor，以下简称FET）是一种可控半导体发光元件，其特点为电流与充电不敏感，具有可调节大小及高速特性，目前被广泛用于芯片设计、电路模拟设计等方面。在这些应用中，FET的电路图可以提供精确的控制，使设计更加完整。
FET的应用电路图非常多，但最常用的是能量型FET（MOSFET），晶体管（BJT），双极晶体管（Bipolar Junction Transistors，以下简称BJT）和场强射频晶体管（High Frequency Field Effect Transistors，以下简称HFET）。场效应管们也可以用于电子装置的多种应用，比如放大器、调谐器、逻辑门、数据转换器、滤波器等，从而构建优质、可编程的电子电路。
当应用场效应管时，首先要熟悉其各种电路图。这些常见的电路图可以帮助我们了解不同FET的特点，并且能够更好地控制和使用不同类型的场效应管。几种常用的电路图有：平台放大器、电流补偿放大器、增加器、减少器、单分支传递增益三极管、双分支传递增益三极管、缓冲器和滤波器等等。
另外，由于FET用途的不断拓展，设计者们也需要注意一些新型及特殊型应用电路图。比如半导体泵浦电路、反馈型FET开关、自动补偿集成测控器和功率调节器等等。这些电路图随着技术的发展而不断变化，它们的应用常常能使FET的性能得到更大提升，从而更好地满足现代社会对高精度、高效率和低成本电子产品的需求。
总而言之，在应用场效应管时，应用电路图可以帮助用户更全面地了解FET的特点，同时也可以更好地掌控设计并达到想要的效果，以满足当今各行各业的高精度、高效率和低成本需求。
