metal oxide semiconductor（mos）场效应管是半导体电路中的关键元件之一，具有集成度高、成本低的特点，得到了广泛的应用。近十几年来，MOS场效应管器件以及双极性MOS场效应管（PMOS）及非双极性MOS场效应管（NMOS）在电子技术和计算机技术的应用中越来越重要。
双栅mos场效应管通常由PMOS及NMOS组成，具有宽带射频功率放大器，响应时间短，噪声低，低功耗等优点，因而在射频系统中得到了应用。 同时，用双栅mos功率放大器来取代线性放大器可有效减少饱和电路所需要的功率，节省能量。另外，双栅mos场效应管也可实现温度飙升控制，同时有效减少散热器的功率损失。
此外，双栅mos场效应管还在日益小型化的电子设备中大量应用，由于它具有小尺寸、低功耗、抗干扰能力强等特点，可以有效地实现高精度的控制和信号处理，延长电池续航时间。
总而言之，双栅mos场效应管拥有诸多优点，作用不可小觑，在电子技术发展的日趋迅速中起着至关重要的作用。
