场效应管2n7000（MOSFET）是一种多晶硅穿孔半导体，由三极晶体管电路组成，这种晶体管具有优异的特性，如可靠性、高效率、高导射率和开关时间等。它广泛应用于电源管理、模拟控制和模拟功率放大等。
场效应管2N7000的最主要的优势在于，它具有出色的开关效率、高分辨率和低功耗、避免了热损耗等特性。它能够比其它一些竞争型晶体管开关功能更快、更加可靠，因此是进行高开关应用的理想选择。此外，它的可靠性极高，并具有抗电磁干扰功能，而且耗电量低，使其具有显著的性价比优势。
此外，其中D形锁存器具有非常优秀的流程ID标识功能，有过滤器在内，可以保护以太网数据传输。另外，它也可以节约正常的电源，从而大大提高电源电流的使用效率。
综上所述，场效应管2N7000具有高效率、高可靠性、低功耗以及高散热效率等优点，可为用户提供绝佳的性能及效果，成为十分热门的半导体组件。
