晶体管S8550D113是一种NPN普通用型双极晶体管，它的最大功率为500mW， 集电极-发射极电压阻抗为750百万负欧，发射极电流最大值为250mA，静态电流放大值为hfe = 30-300 ，转换时间为tf = 250μs，双极极化电

晶体管S8550D113是一款NPN小功率低压差三极管，这款晶体管属于普通电子元件中常见的共源型晶体管，可以帮助电路进行放大、分立等电路功能。S8550D113晶体管的工作电压范围为：集电极电压VCE=6-40V，发射极电压VEE=-5.0

晶体管S8550D113是瑞萨半导体公司生产的一款PoweMESH™ NPN功率晶体管。该晶体管具有较高的恒定电流放大特性，适用于紧凑型应用。它使用专有的PowerMESH™技术结构，具有低落地电阻，宽电压范围，大电流和小封装尺寸。简言之，

晶体管S8550D113是一种NPN三极晶体管，其结构模型为S8550D113。它是一款普通质量标准级�供，晶体管S8550D113的常用功耗为225毫瓦，结构采用金属结的栅极驱动的NPN三极晶体管。晶体管S8550D113具有高质量、高可

晶体管s8550d113是一种半导体小信号型晶体管，也被称为PNP硅外延中性器件，它可以替代保留有类似电路参数的旧型号。它是在工业领域一种十分常用的半导体器件。晶体管s8550d113是一种PNP半导体晶体管，它的基极为正极，收集极为负极，