场效应管与三极管的区别
场效应管和三极管是两种有机会电子器件，它们之间有明显的差异。它们之间最大的差别不外乎是它们的结构和工作原理的不同。场效应管由源极、居中极和漏极组成，具有单大片半导体材料的结构，金属污染由它的金属工作极决定。它的工作原理是由于污染的金属极引起
CPU226分晶体管与继电器的区别
继电器与分晶体管的机械结构区别明显，前者为导磁壳结构，后者为三极管结构。其区别也在于，前者以振荡的动力，实现控制电源路径的开关变换，而后者以低电压控制高电压，能够达成开关操作之功能。继电器有分触点和非分触点之分，可以实现回路的联动控制，更易
晶体管与CMOS之间的区别
NPN晶体管与CMOS技术比较常被用在电子设备中，在功能上它们都能够提供快速和精准的控制，然而它们的结构、特性以及其他的性能参数又可以很大程度呈现不同。首先，NPN晶体管是一种基于半导体的固态设备，由多个含有三种基础半导体的结构组成，所以它
IGBT与场效应管的区别
IGBT（Insulated-gate Bipolar Transistor）和场效应管（ Field Effect Transistor）尽管两者都是电动控制型半导体器件，但是它们在原理和性能上还是存在一定的区别的。两者的最明显的差异在于
电解电容正负极的区别
电解电容是分别由正极和负极构成的一种电容器，其中正极和负极的构成有很大的不同。正极由铝箔和一种电解质构成，负极由铝箔和一种电介质构成。电解质和电介质的差异主要在于：第一，电解质能吸附电荷并带入电路，因此它可以作为电容释放电荷；而电介质则无法
数字集成电路与模拟集成电路的区别
数字集成电路和模拟集成电路，可以说是电子技术发展歷史上兩大重要發展突破口。数字集成电路和模拟集成电路作为电子技术的两个重要部分，其本质功能及应用方面有很大的区别。数字集成电路是把数字电路封装在一个单位内，作为一个整体使用的集成电路。数字集成
场效应管与三极管——区别分析
场效应管（Field Effect Transistor，FET）和三极管（Bipolar Junction Transistor，BJT）是两种常用的晶体管。它们具有一定的相似点，但又有着本质上的区别。FET和BJT都是晶体管的基础，能够
热电阻与热电偶的区别
热电阻和热电偶都是用来测量温度的物体，但它们之间还是存在很多区别。首先，热电阻是一种由特殊材料制成的可导电元件，它是温度传感器。当物体的温度发生变化时，热电阻的电阻值也会随着变化而变化。热电阻使用简单，误差小，响应快，可以直接测量温度，不需
ROM版 Flash芯片与版芯片的区别
ROM版 Flash芯片和版芯片在物理上是完全相同的，二者唯一的区别在于ROM版 Flash芯片更具有可信度、可靠性和安全性。ROM版 Flash芯片是一种具有非常好的可靠性的Flash芯片，它主要用于应用在自动化控制系统，它的内置存储模式
串联电路与并联电路的区别
串联电路和并联电路都是常用的基本电路形式，对它们的不同了解对理解现代电子电路很有帮助。串联电路和并联电路在电路结构的主要差异在于它们如何连接元件、支持信号和能量的流动。串联电路是一种简单的电路架构，由一系列相连的电阻、电容器、电感器和其他电