检测装有反向二极管的电路方法
装反的二极管在电路设计中扮演着重要角色，检测装有反向二极管的电路是检修电子产品的必要步骤。本文将介绍几种检测装有反向二极管的电路的方法。首先，可以使用简单的测电路的反向二极管的位置。用四芯探针在此二极管的两个管接口上测试，釉丽两表示正极和负
NPN三极管Be结的反向击穿电压高的原因分析
NPN三极管Be结作为常用的电子元件，由于其结构的特殊性，对反向击穿电压的要求比较高。那么，自然就会产生一个疑问，为什么NPN三极管Be结的反向击穿电压高于其他三极管结构？实际上，NPN三极管Be结的反向击穿电压和基极的漏电流基本上是成正比
NPN晶体管的BE间反向导通电阻属性
NPN晶体管的BE间反向导通电阻是指在Collector-Emitter的反向电路中从base端向emitter端传递电流的通路的电阻值，它与晶体管型号有关，其电阻值大小取决于其规格，其值通常在10到15欧姆之间，不会无限小。NPN晶体管B
集成电路反向分析技术：针对未知型编码起作用
近几年，以智能手机、汽车和服务器等智能终端产品的大量涌入市场，芯片产品类型的多样性也更加复杂。如今，集成电路的反向分析技术已成为芯片设计、分析以及测试的一个重要环节。集成电路反向分析技术是指根据集成电路芯片的外观设计和拓扑结构，分析电路中电
NPN三极管BE结反向击穿电压特性分析
NPN三极管BE结是由一个NPN型晶体管最常用的基本接口，当封装在一起根据不同的封装类型，BE结具有放大和逻辑基本功能，它具有良好的特性性能，它是电力和控制电子元件中最常使用的器件。在研究反向击穿特性时，BE结NPN三极管可以考虑到两个参数
集成电路反向分析技术：赋予电子工程师无限想象的新能量
电子工程师不仅仅要有能力开发新的电路，还需要有能力反向分析既有电路，识别出其中的问题，并对其进行改造。随着技术的进步，反向分析现已不再是一件费时费力的工程，而是可以通过反向分析技术来解决的。近年来，集成电路反向分析技术在电子行业中变得越来越
npn三极管反向击穿电压高应如何选取？
NPN三极管当中，反向击穿电压（reverse breakdown voltage）指的是晶体管在反向偏压超过一定值时产生的穿透现象。反向击穿电压的高低直接影响着电路的稳定性和可靠性，因此在选择NPN三极管的时候，反向击穿电压是需要非常重视
NPN三极管反向击穿电压的强弱
NPN三极管有着广泛的应用，Be结是NPN三极管中常用的连接结构之一。反向击穿电压也就是我们常说的“正向击穿电压”，是指NPN三极管连接到额定电压的反向电流通过结构时，所需要的电压值，是Be结NPN三极管的重要参数之一。Be结NPN三极管反
npn三极管反向击穿电压如何影响？
npn三极管反向击穿电压高，是指在反向偏压应用下，三极管的反向击穿电压较高。反向击穿电压越高，意味着漏极越难以发送电流，通常用来表示三极管的反向偏压特性。现在，你可以知道，npn三极管的反向击穿电压高，具有很强的反向电压耐受性，这要求半导体
场效应管反向接法
场效应管反向接法是一种接法，可以有效用在半导体晶体管处理过程中，被用来降低功耗、增加带宽以及衰减噪声等等实现电子电路的可控化。其基本原理是利用场效应管的反接技术，即在连接输入端和输出端之间加入一个位于中间电压位置的参考电压源。此外，利用场效