场效应管（电子管）是利用电和磁场来控制小信号大放大的电子器件，它的历史可以追溯到20世纪30年代，由美国发明家约翰·比奇改良的维克多·卡布（VictorZwasche Cuebner）开发。它是一种小型、廉价的放大器，可以使得一个微弱的信号

场效应管（Field-Effect Transistor,FET）是由一个导电源场以及一个低通滤波源场组成的新型三极管，它的工作基本原理是将电极（gate）的电场场强作用于控制电极之间的晶体管漏电流，改变晶体管漏电流的流量，从而可以控制晶体

场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种用于控制电路中信号的转换和放大的电子元件，它的典型结构由两个极性层（源极和汇极）组成，并且由一个电场控制的通极区分开。由于它能通过控制外加的电压来改变导通电阻大小，因

场效应管（Field-Effect Transistor，FET）是一种半导体元件，类似于普通管子，不同的是它只有两个引线，可以取代普通管子的三条线，它广泛用于声音处理电路，高频作用例如高质量音调滤波器。在实际使用中，场效应管或许被选择来带

场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种晶体管，可以实现模拟、半导体放大、开关，以及信号频率控制等功能，是电子工程的重要元件。由于FET具有极低失真、极低噪声、大阻尼比、低电压操作、低负载变化的特点，因此在音