功率场效应管（简称FET）是一种常用的三极型半导体器件，它包含一个电极，另外两个电极通常被称为源极和漏极。FET具有许多优点，包括低失真、低噪音、高效率以及更高的输出功率，是制造器件的首选。常见的功率场效应管有高效率管（器件的输出功率到输入功率之比）、低噪声管（让信号更加清晰）、电源效应管（能够提供稳定的电源）、降压效应管（通常用于转换两种不同电压的电路）以及功率放大管（降低电压驱动）等等。
由于FET具有高效率、低失真、可编程的特点，它们常用于汽车、摩托车、舰船等各种电源系统，以及电视、扩音机、声音增强等各种配音室系统。即便是尽管功率场效应管种类众多，但是仍有一些常用的FET型号，包括JFET、MOSFET、IGFET、IGBT、HBT等。这些不同型号的FET都有着自己特定的性能。
虽然功率场效应管具有各种各样的优势，但仍有一些局限性。容易受环境变化和温度影响，因而要使用耐高温的FET。此外，高噪声的FET也需要使用加强噪声抑制的FET，以减少噪声干扰。最后，在制作高准确度的FET时，要考虑电流饱和的问题。
总之，功率场效应管既有优势也有局限性。因为具有许多优点，它们在各种电子电路中广泛应用，是未来技术发展的重要元素之一。
