在电子设备的设计中，场效应管（Field-Effect Transistor，FET）与三极管（Bipolar Junction Transistor，BJT）经常作为电路的重要构成部分，这二者有着许多共同之处，也有一些显著的差异。让我们来比较一下这两种元件的参数。
首先，FET与BJT的特性显著不同，后者采用开关模式，而前者采用调制模式。这两种模式不仅包含在正弦信号范围内的表现不同，也在其他方面有差异。FET的参数是：电容无关性，功耗极低，封装简单，容易扩展。而BJT的参数则是：电容相关性，功耗较高，封装复杂，易于端口访问。
其次，FET与BJT在电容相关性方面有着显然不同，FET采用的开口模式让它的电容无关特性更加突出，而BJT采用封闭模式让它有很大的电容相关性，所以FET更诱人采用。
第三，FET与BJT在功耗方面也有所不同，FET采用开关模式，将消耗更少的电流，而BJT采用封闭模式将耗费更多的电流。
最后，FET与BJT在封装上也有所不同，FET的晶体封装较小，容易扩展，而BJT的复合封装更复杂，易于端口访问。此外，FET还可以实现在线调试，而BJT需要提前安装在板子上，应用范围较小。
综合来看，FET与BJT的参数有显著差异，对于不同的应用，每种元件都有各自的优势，正确选择元件才能达到最佳使用效果。
