场效应管各极电位（Field Effect Transistor Pin Electromotive Force），简称FET，是一种半导体器件，可以控制电导率并改变其元件性能，为电路芯片芯片设计或应用提供重要的参考依据。FET的各极电位，是影响FET晶体管性能的关键因素，也是FET晶体管技术的核心概念。
在FET技术中，FET各极电位的特性经常决定着FET晶体管的各种性能。合适的FET各极电位可以有效的减少电子流的漏失，减少功耗，提高效率，延长电池寿命，进而实现低耗电的实际应用。
FET各极电位的大小主要由FET电极的电极极压、输入电压、开关电容以及负载等多种因素决定。此外，温度、FET的工艺布局、FET设计参数以及FET器件的封装结构等也会影响FET各极电位的大小。
总的来讲，FET各极电位是一个重要的参考指标，它是FET技术的核心概念，可以控制FET晶体管的各项性能，提高FET技术的应用效果。正确的理解、处理和分析FET各极电位是FET技术应用中的重要一步。
