场效应管(Field Effect Transistor，FET)和Mos管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)作为两种电子元件，它们之间有着很大的差别，具体如下：
首先，场效应管是晶体管的一种，它的门极不会受到来自外界源管的信号控制，而是根据外界的电场强度来控制来自源管的电流。这使得场效应管在控制电流的精度上有着很大的优势。
而对于MOS管，它是一种电子元件，由金属氧化物和半导体材料制成，它的主要作用是将一个双极型晶体管的门极信号控制来源管栅极信号，因此，它有着更强的可控性，可以用来实现信号的调节和调控。
另外，由于MOS管和场效应管使用的材料不同，一般情况下，MOS管的输入阻抗比场效应管高，所以可以更有效地抑制水平噪音。
总的来说，在实际应用中，场效应管和Mos管各有其独特的优势，使用者根据自身实际情况，选择最适合自身应用的元器件。
