场效应管（field effect transistors，简称FETs）是一种半导体器件，利用电子场发挥其功能，可在变压器、逆变器、测试仪、开关电源等系统中大量应用，是发展电子技术的重要基础原件。场效应管的基本原理和其它的半导体器件其实是一样的，从外观上看起来只是多了一个层极，是晶体管到场效应管的发展过程。
场效应管主要由体结(Substrate)、源极(Source)、漏极(Drain)和控制极(Gate)构成，根据施加的场强改变其表面电荷量，可以起到控制电流流动的作用，改变场效应管的控制极场强，从而可以远程调节或控制其电流流入和流出的强弱，从而达到场效应管控制电路的调控功能。
假设控制极上没有施加电压，场效应管的漏极和源极处的电压及其表面电荷量由两极之间的体结施加的场强决定。当控制极上施加电压时，会在结构上通过一个电容，使其表面电荷量发生变化，由此产生有源型场效应管和无源型场效应管两种。有源型场效应管控制极上的电压会改变漏极处的电阻；无源型场效应管控制极上的电压会改变源极处的电阻。
总之，场效应管的工作原理是通过改变控制极施加的电压，从而控制漏极或源极处的电阻，从而控制电流流入或流出，从而起到调控控制电路的作用。
