场效应晶体管（Field Effect Transistors，FET）是使用场效应原理控制电子流的一种半导体元件，这种元件需要有一个特殊的衡量量--变射率 （Transconductance）。变射率是电流变量与电压变量之比，也就是说用变射率来表示场效应晶体管的特性。变射率可以用ε来表示，这个符号也叫作“变射率系数”，ε表示晶体管的变射性能 。
变射率的大小是用一个赫兹（Hertz）单位的衰减率的倒数表示的，其数值一般被定义为1千赫（KHz/V）。变射率的值可以用粗略的实验来得出，由于变射率随晶体管的结构，厚度，化学构成，温度等参数而有所变化，所以该率的大小也会发生变化。因此，变射率系数对于更好地了解场效应管的特性和表现十分重要，也是场效应管用来表示输入输出特性的重要参数之一。
综上，『场效应管』可以用『变射率』来表示，是衡量场效应晶体管特性的重要参数之一，也是判断其输入输出特性的重要参数。可以说，变射率既是判断场效应晶体管特性的重要参数，也是场效应晶体管的标志。
