场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种具有特殊特性的半导体器件，它有着独特的输入特性，从而具有高频放大、低灵敏度和小信号失真的能力，广泛应用在电子器件设计与控制的地方。场效应管的宽长比是FET特性参数中被讨论最为频繁的一个指标，它可以揭示FET的器件性能。
场效应管宽长比是指在正向电流流动时，其阻抗最小的长度与宽度之比，即长度/（宽度+绝缘体厚度）。 对于有源型FET，它的特性受宽-长比的影响非常大，特别是当其处于关断状态的时候，宽长比的影响则会加剧。因此，宽长比的大小将直接影响到FET的漏源特性，有效调控FET的输出特性。
此外，宽长比也会影响FET的抗拉块特性，类中结的抗拉块拉强度会受宽长比的影响而变化。在对FET进行器件分析、设计时，要选择合适的宽长比，使其实现理想的效果。
总之，场效应管的宽长比是影响FET性能的重要参数，正确的宽长比可以提升FET的抗拉强度、降低漏源电流、改善信号的失真等，使其得到最佳的工作条件，发挥最佳的特性。
