场效应晶体管(Field Effect Transistor, FET)是电子学领域的重要器件之一，因其出色的特性而被广泛使用。然而，无论是通常还是特殊的场效应晶体管，噪声一直是一个重要问题。在这方面，了解场效应晶体管的噪声特性是十分重要的。
一般而言，FET的噪声特性取决于三种不同的因素，即噪声杂散，噪声误差和漂移。其中，噪声杂散是电晕流源，即Thermal Noirc源，因为在晶体管上的元件器件有一定的熵量，从而导致有噪声输出。噪声误差是由两个未知的晶体管杂散电流产生的，即flicker noise源，或1/f noise源。而在晶体管的电流漂移方面，会出现随机的变化，这也是FET噪声的重要源之一。
除此之外，场效应晶体管的静态电压增益和旁路电容也会影响噪声特性，因此，在设计中要注意这些参数。此外，在一定条件下，噪声对抑制和放大的晶体管的噪声的影响不同，应当有所考虑。
总之，FET噪声是一个比较复杂的问题，对于它的噪声特性还没有一个全面完整的理论模型，基于实验的方法也是有限的。不过，准确的理解FET的噪声特性，对于提高设备在低噪声条件下正确运行的稳定性来说，至关重要，是一个不容忽视的环节。
