mos晶体管，即Metal-Oxide Semiconductor，是一种只有当驱动电流通过时才能将信号转换为数字信号的半导体晶体管。它的历史可以追溯到半个世纪之前，一个德国技术达人于1967年发明，一直被广泛应用于当今的各种电子设备。
MOS晶体管采用门控型构造，它所由的结构元件是由以硅为主的金属氧化物晶体管(MOSFET)和引出线共同构成。晶体管在构造上包含有四个不同的元件：源极、漏极、控制门以及介质门。控制门和介质门不仅拥有相同传输特性，更具有与极化关系紧密相连的量子效应和变化抑制特性。
MOS晶体管尽管与其他晶体管比起来具有更有优势的性能，但它仍然存在一些不足之处，例如，在介电常数的控制上存在一定的问题。而且，由于MOS晶体管构造的复杂性和表面效应影响，它很容易受到电池电压的影响。
总而言之，MOS晶体管是由门控型构造组成的一种半导体装置，它拥有高效的变换特性、低电压操作和优良的信号隔离能力。因此，MOS晶体管已经被广泛应用于当今的各种电子设备中。
