场效应管(Field Effect Transistor，FET) 常被称为电子可控开关，它是一种用于控制电子信号或电流的三端口可控半导体器件。它的原理是通过场效应，在源极和漏极间有与负电极做联系的可变场强，从而改变晶体管透过电流大小的可能性，来达到控制电流的目的。相比晶体管，FET具有较低的漏电流、较低的噪声电平，较强的侦测能力以及较少的变化尺寸，因此具有更小的物理体积和高集成电路密度。
但是，尽管FET和晶体管都是可控半导体器件，但是它们的原理却是有区别的。FET是通过场效应来控制信号，晶体管则是通过射频技术来控制电容，或者是以热效应来控制电阻或电压。此外，FET和晶体管的电子性质也不同，其中，FET可以实现有源和无源的控制操作。
总之，场效应管不是晶体管，它们有着不同的原理、不同的电子属性以及不同的控制方法。
