场效应晶体管（Field-effect transistor，简称FET）是在电子学中应用最为广泛的特殊晶体管。它采用了一种全新的技术原理，将电流电压负反馈调节与操纵电子信号结合起来，从而大大改善了晶体管的效率与可靠性。
场效应晶体管主要由一个栅极场（gate field）、两个源极（source pole）和一个漏极（drain pole）组成。栅极场可以控制两个源极的结合状态，即开口或关闭，进而影响漏极场电流的流动。栅极场可以通过电压信号在较小的电流幅度内产生较大的电压变化，从而更有效地控制电流传输。
场效应晶体管具有低损耗、高稳定性和易操作性的特点，因而已经应用于微处理器、电视机、数字相机等很多电子设备中。同时，由于具有节能的特性，场效应晶体管还可用于改善手机的节电能力，为环保减少了电能消耗。
总之，场效应晶体管是电子技术领域研发出的最具前瞻性和最为重要的电子器件之一，它在电脑和手机的原件及消费电子产品的研发中有着不可替代的地位，同时也是节能减排的有力实施督促。
