晶体管是一种半导体器件，由于其优异的特性，被广泛用于电子管理系统的设计中。其中，晶体管交流等效输入电阻的变化，是用于研究和设计电子系统的重要指标。
晶体管交流等效输入电阻（Rei）的变化受多种因素影响。例如，晶体管功率饱和度，交流等效输入电阻会受到影响；晶体管静态电流也会影响晶体管交流等效输入电阻。如果晶体管的电流增大，Rei就会减小；反之，Rei也会随着晶体管的电流减小而增大。在某些情况下，Rei会随着晶体管的温度和驱动能量的变化而发生变化。另外，Rei会受到晶体管耗散功率和晶体管电阻的影响。
此外，晶体管交流等效输入电阻的变化还受到结构、器件特性、制造工艺以及环境参数的影响。一般来说，当晶体管受加热时，Rei会减小；当晶体管受冷却时，Rei会增大。另外，晶体管驱动信号的波形也会影响晶体管的交流等效输入电阻。
总而言之，晶体管交流等效输入电阻的变化会受到晶体管功率饱和度、晶体管静态电流、温度和驱动能量、晶体管耗散功率和晶体管电阻、结构、器件特性、制造工艺以及环境参数影响的多种因素所控制。
