NPN晶体管（Bipolar Junction Transistor，即双极型晶体管）是由三个基区构成的半导体晶体管，一般由P区、N区和外延层构成。其中P区和N区是由比较密集的正负掺杂物质组成的，P区里的正掺杂物质多于N区，N区里的负掺杂物质多于P区，而环绕外延层的是由比较稀薄的正负掺杂物质组成的。当有电压或电流通过P区或N区时，在P区和N区之间会形成负反馈环，从而调节P区和N区的导电性，使得NPN晶体管起作用，实现放大或抑制功能。
NPN晶体管可以分为三个工作模式：
（1）放大模式：我们将外部的输入电压输入到正极射线Input P，负极射线Input N输入地。在输入电压大于零的情况下，此时外部开路的电压被放大到正极射线Output P而负极射线Output N的值。
（2）抑制模式：当我们输入的电压小于零时，此时外部开路的电压被压制，而正极射线Output P和负极射线Output N的值也会变小，使得NPN晶体管处于抑制状态。
（3）关断模式：当输入电压为零时，正极射线Output P和负极射线Output N的值是不变的，也就是说NPN晶体管处于关断状态。
总的来说，NPN晶体管的基本工作原理是，由三个基区构成，在输入电压的作用下，形成负反馈环使得正负极射线的导电能力从而发挥出放大、抑制或关断的功效。
