PMOS晶体管是一种受极性影响的晶体管，具有开关特性。它具有两种状态 - "开"和"关"，按照其输入信号的变化，可以控制和调整输出信号。PMOS晶体管的“关”状态时，接通了漏极和供电电路，电压以固定的值存在；而“开”状态的使用条件是，漏极被切断，而供电电路却保持有效。
pmos晶体管的开关原理围绕其特征电路而发展。其中有两个基本元件 - N沟道场效应管和P沟道场效应管，这两个元件的特性与晶体管不同，并且它们能够为电路提供所需的可控调节功能。N沟道场效应管具有正向封闭和反向封闭特性，能够把负极端接地，避免电性干扰；而P沟道场效应管则具有正向封闭和反向封开特性，保持正极端有足够的供电在使用过程中。
PMOS晶体管的开关原理也包括最重要的器件。还有MOS二极管，其电路中的P极与N沟道场效应管及P沟道场效应管连接，其主要作用是控制晶体管的开关状态。当外界条件发生变化，使MOS二极管转变为“开”状态时，晶体管也会发生相应的调节。
总之，PMOS晶体管具有较强的开关特性，一方面可以使电路有效地抗扰，另一方面又能够及时应对外界变化，使晶体管处于有效的控制之中。
