场效应管（Field Effect Transistor）极电位（bias voltage）研究是在场效应管中的一个重要研究，它很容易受到外界影响，由此可以体现场效应管自身特性的变化。正常情况下，在场效应管中定义的极电位范围应处于正常工作的峰值范围（终结），这样场效应管才能达到正常的工作状态。
研究表明，极电位对场效应管电荷流的影响程度很大。随着极电位的变化，场效应管的电荷载流会发生变化，可以控制输出增益的大小。因此，可以使用极电位来控制场效应管的增益，从而更精确地调节场效应管的特性，达到所需要的电平。同时，极电位也有助于保持晶体管稳定性，更好地抑制噪声信号，维持晶体管正常工作。
另外，在极电位受到外界影响时，场效应管的特性也可能会有一些变化。如果极电位从正常的范围外发变，可能会导致场效应管无法正常工作，伴随着错误的输出信号出现，因此，在系统中极其重要的对极电位进行有效的管理和控制。
综上所述，场效应管极电位研究是场效应管特性研究中的一个关键内容，由于极电位的变化可以带来场效应管电荷流的变化，以及对场效应管极电位有效的管理和控制，所以对极电位的研究被越来越重视。
