场效应管、简称FET，是一种半导体元器件，它可以在没有门垄断的情况下控制电源，因此在电子设备上使用比较普遍。与普通的晶体管相比，场效应管有较高的增益性能和较低的功耗。
其中，场效应管可以分为d型和s型，d型由n型沟槽引起的P型器件构成；而s型也是由P型沟槽引起的N型器件构成，类似于普通的晶体管s的构成原理。那么，场效应管d与s极能否随意互换呢？
实际上，由于场效应管的性能参数不同，它们之间互换的可能性只有些许。因为对同样大小的d型和s型场效应管，S型的直流电阻大于d型，另外S型的饱和和开通电压电流也比d型要低。因此，如果场效应管D与S极却用随意互换，可能会引起特定的工作状态不可能实现，甚至系统初始化阶段的工作状态也会发生变化。最终，可能会导致设备的故障，甚至无法正常工作。
因此，场效应管D与S极不能随意互换。在设计和使用的过程中，设计人员和操作人员都必须小心处理，避免互换，让相应的设备和系统保持正常运行的状态。
