场效应管（Field-Effect Transistor，FET）的输入阻抗是一种重要的特性，它可以决定FET能够达到何种性能，因此计算和研究FET的输入阻抗是很有用的。FET的输入阻抗是指它们在输入端口封装时所具有的电阻，它们可以通过改变压降来增加或减少输入信号的强度，因此对于一个有效的FET应用，它的输入阻抗也同样重要。
FET的输入阻抗主要包括两种，一种是变压晶体管的输入阻抗，它主要是基于晶体管结构而决定的；另一种是通过表面装饰来实现的输入阻抗，例如桥接或加制限电容器等。一般而言，FET的输入阻抗相对稳定，且随着温度变化而变化不大，因此在相对恒定的情况下。
此外，场效应管的工作特性也会影响它的输入阻抗特性，其中包括突发器件的噪声参数，输入电容，存储时间，选择性等。因此，为了确保最佳性能，在设计时应当在计算FET的输入阻抗的基础上综合考虑它的特性，以及在不同情况下的设计要求。
总之，场效应管的输入阻抗既是它的一个重要特性，又是它在使用时的一个重要考量因素。因此，如果希望让FET发挥出最佳性能，就必须在设计时特别注意并考虑它的输入阻抗特性。
