p75nf75场效应管参数分析

日期: 栏目:场效应管 阅读:0
p75nf75场效应管参数分析

p75nf75场效应管是普通场效应管的新型,其输入特性和输出特性都有很大的变化。由于p75nf75场效应管具有极大的抗干扰能力,从而造就了它在微处理机领域的应用前景。本文主要研究p75nf75场效应管的参数以及其表现形式。

首先,p75nf75场效应管的输入截止频率(GBW)在200KHz左右,这使得它在40MHz的处理器机制,实现了良好的边界截获。此外,p75nf75场效应管的输出线性度(DR)一般在200V /μs以内,这使得一些具有常开特性的器件,具有很大的抗干扰能力,因此在传感器应用等领域非常流行。另外,p75nf75场效应管具有极低的输入电流、极低的输入偏置电流、极低的输入偏置电压、极低的输入自耗电、极低的输出自耗电和极低的输出电压,这也是它为什么被使用在嵌入式应用的原因。

在外部功率源接入方面,p75nf75场效应管具有极低的电容及反向延长的保护能力,它能够有效减少峰值的输出电压。此外,p75nf75场效应管的功耗损失也非常低,因此使用它在小功率消耗方面会取得很好的效果。

综上所述,p75nf75场效应管的性能及参数具有多方面的优点,此外还实现了低成本直接接入外部电源,从而受到众多设备制造商以及发明者的青睐。

标签: