绝缘栅型场效应管的输入电流分析

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绝缘栅型场效应管的输入电流分析

绝缘栅型场效应管(MESFET)是以金属绝缘栅(MIS)结构为基础而设计的一种器件,它具有传统晶体管所具有的结构与功能。MESFET在某些特定的电子设备中被广泛使用,如高速数字收音机、量子信息处理系统、微波射频收发系统等等。输入电流是MESFET的一个重要参数,它不仅影响器件的功能,也决定了器件的使用寿命。

MESFET的输入电流取决于四个与金属绝缘栅有关的操作参数:第一是场效应晶体管的角栅宽度W,也称为栅宽度:第二是栅/源(S/D)电压Vsd:第三是源/汇(S/D)接触电阻:第四是回流流过的流量。当栅宽和源/汇接触电阻都适当小时,输入电流就可以达到最大值。为了保证最大输入电流,需要将栅宽设定在0.1微米以下,并确保源/汇接触电阻较小。

此外,在开路情况下,MESFET的输入电流也受温度的影响,随着温度的升高而降低。据研究表明,当温度大约在60摄氏度时,输入电流会进一步降低。因此,为了获得更高的输入电流,就必须将MESFET的使用温度降低。

由上可以看出,MESFET的输入电流受多个参数的合理配置影响,要获得最大的输入电流,只有当布线参数合理并在低温使用时,才能保证最佳的电流性能。

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