NPN三极管Be结作为常用的电子元件，由于其结构的特殊性，对反向击穿电压的要求比较高。那么，自然就会产生一个疑问，为什么NPN三极管Be结的反向击穿电压高于其他三极管结构？
实际上，NPN三极管Be结的反向击穿电压和基极的漏电流基本上是成正比的。这是由于Be结元件本身有两个P型沟道，由于一个P型沟道电荷提高了，而另一个P型沟道电荷则会减少，从而基极的漏电流会大幅增加。因此，NPN三极管Be结的反向击穿电压就要高于其他一般结构的三极管。
另外，由于Be结的特殊性，可以在Be结元件两侧植入P型和N型沟道以减少基极的漏电流。通过这种方式，NPN三极管Be结的反向击穿电压就可以下降，但与NPN三极管其它结构相比，仍然会比较高。
总之，NPN三极管Be结的反向击穿电压高于其它结构，是由于基极漏电流大的原因所导致的。改善NPN三极管Be结的反向击穿电压，可以采用植入外围P、N型沟道以降低基极漏电流的方法。
