富士IGBT模块是通过两种不同的二极管来工作的，其中一种是p型二极管，也称为IGBT晶体管，另一种是n型二极管，也被称为IGBT场效应管，两者形成一个集成型IGBT模块，以驱动电动机。
通常，p型二极管采用金属氧化物半导体技术制成，具有较高的负载开关特性，而n型二极管则采用薄膜场效应技术制成，拥有较高的抵抗特性，当用于驱动电动机时，可以在低损耗、高功率下发挥最佳的效果。
在正常情况下，p型二极管可以安全地承受高压，而n型二极管则可以高效地抑制IGBT模块对空载情况下的过电流。此外，p型二极管还具有非常低的漏电流，从而可以极大地减少对IGBT模块的损耗，提高输出效率。
因此，p型二极管和n型二极管对于IGBT模块的工作具有重要的作用，通过这两种二极管，IGBT模块可以提供稳定的负载开关特性，安全的大电流传输，以及低损耗的高功率传输，从而为电动机提供更多的性能。
