场效应管（Field Effect Transistor，FET）是半导体技术领域中应用最广泛的一种电子器件，以它的特殊电路功能，与晶体管相比，其功率消耗少，硅芯片布局紧凑，作为电子专用元件，FET的结构以及工作原理对电子电路设计至关重要。因此，在设计电路的初步识别中，要做好场效应管的判断工作。
通过仔细查看电路原理图，可以判断场效应管的结构。这种结构的一个特征是，电路示意图上会有一个小三角形符号，而晶体管结构上没有这个符号。另外，场效应管与晶体管的另一个显著不同是其极性特征，晶体管只有饱和和放射两个极性，而场效应管还有半场极性。这种字面上的差异，在实际的电路构建中会有较大的不同，因此判断FET电路也是至关重要的。
另外，可以利用系统动力学的计算方法来解决电路问题，比如分析信号的相对强度、估计振荡的准确度等。特别对于复杂的电路，通常需要使用一些高级的计算方法，以此来保证电路设计的正确性，使电路工作正常。
总的来说，场效应管判断以及电路设计使用的系统动力学计算方法，是电路设计过程中必不可少的一步。对于FET电路的设计，要重视对极性特征的判断，以及利用系统动力学计算方法来解决问题，这样才能更准确、有效地设计电路，使电路运行正确。
