igbt（Insulated Gate Bipolar Transistor，隔离栅双极晶体管）和场效应管均属于半导体设备，被广泛用于电路控制中。这两者有着明显的区别，尤其是在结构，电性，功率管理和应用等方面。
首先，igbt是一种桥式结构的混合晶体管，包括N沟道MOS和PN结果，N沟道MOS管起到导通的24操作，而PN管用于放大PN结果。场效应管（FET）是一种FET（可控硅）晶体管，具有N极极极N（N沟道）的三极结构，由于导通电流的控制是使用电场的，因此又被称为场效应管。
其次是电性方面的区别。igbt的结构允许它在一定电压范围内显示出高电流，但是它的主要缺点就是在瞬时高电流时，可能会造成过热。场效应管虽然歧表示出和igbt相似的器件电流，但它实际承受的功率更低，而且功耗更低，可以更有效地控制功率和耗散。
此外，igbt主要用于中高压应用，例如电动机控制等，有较好的低频响应，但其低通滤波特性较弱；而场效应管则用于高频应用，例如电源控制和信号处理，具有低功耗特性，但是无法提供一定的功率增益。
总之，igbt和场效应管具有结构，电性，功率管理和应用等不同之处，不同的应用场景可以选择不同的设备。
