mos管场效应管（Field-effect-transistor，缩写为FET），是一种特殊的半导体元件，可改变晶体管的通断状态，以控制电流流通，并有用于放大微弱的信号的作用。它在电子和电路领域有广泛的应用，因此日常生活中普及程度很高。
MOS管的工作原理建立在金属-氧化物-半导体的理论基础上，它是由两层互相交叉的电极所组成的，称为源极和漏极。在施加外电场的情况下，源极处次高位，漏极处能控制电路状态的通断。当加偏电压时，只要漏射通道的电子在漏极处符合电容填充条件，就会阻止通流，这就是MOS的场效应。
MOS管在电子电路的应用十分广泛，例如在通用电路中提高电路的稳定性和可靠性，这是它相较于其他晶体管受到广泛应用的原因。此外，相较于MOS管，节省的电力消耗量也是其优势之一。在电子器件，电路和其它设备中，MOS管用于放大输入信号，从而提高系统的整体性能。
MOS管已经在世界范围内受到越来越多的重视和应用，由于其具有节省电力、体积小巧、灵敏度高、无需校准以及长寿命等优点，因此一直以来都被安装在电子设备中。MOS场效应管也被用于计算机的输入输出系统，电子加速器，移动通信装置等中，起到至关重要的作用。
总之，MOS管场效应管是半导体技术领域里重要而独特的元件，根据金属-氧化物-半导体原理，改变晶体管的源极、漏极的电场，可控制电路的通断，从而支持对弱输入信号的放大和转换，以更大程度上满足我们日常所需，并取得更好的电子电路应用效果。
