场效应管（Field-effect Transistor，简称FET）是一种电子元件，它利用电场的力量作用在接收端的单片晶体上，控制电路的通断。FET有很高的控制效能，而压降又是一种基本指标，压降也是影响FET性能的一项重要因素。因此，控制和减小FET压降至关重要。
FET的压降由由几个特征决定，首先是FET的极化程度，极化程度决定了电路的极性，极性会决定元件的表现，在FET的极性变化过程中，晶体的应变会产生压降，若极化度过大会导致压降增大；其次是设计的晶体密度，晶体的密度决定元件的导通效率，而晶体的密度越大，电路会受到更高的限制，导致FET对应电路的压降也越大；此外，FET的类型也是影响压降的重要因素，外部结构以及外部的电路环境也都会影响FET的几个特性，也有助于减小压降。
为了降低FET的压降，在设计时，应考虑以下几点：一是考虑晶体产生的应变，选取合适的结构使极性控制在合理范围内；二是应采用多道结构，保证晶体密度有充分的裕度；三是考虑使用低压降产品；四是控制场效应管的类型，并考虑外部电路结构等。
在应用方面，FET的低压降和稳定的性能被广泛用于通信、计算机及消费电子行业。通常，FET的应用需要低压降和低耗散，低耗散可以减少设备的散热，而低压降又可以降低电路的功耗，使电子设备更加稳定可靠。
总之，FET的压降是可以控制的，正确的设计和应用都能有效减小压降，提高设备的性能。
