场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种晶体管，可以实现模拟、半导体放大、开关，以及信号频率控制等功能，是电子工程的重要元件。由于FET具有极低失真、极低噪声、大阻尼比、低电压操作、低负载变化的特点，因此在音响、通讯、监控系统、功率电子专用芯片等应用场合有着广泛的应用。
FET为三端管，其外型类似于普通的三极管，它的极性分别为源极（Source）、漏极（Drain）和 控制极（Gate）。控制极与源极和漏极之间就形成了电场，可拉动源极和漏极之间的通道，从而控制着电流流动；材料厚度的变化基本不影响它的电性能，因此有一定的动态范围和频率带宽特点，而且不易失效，可靠性高。
FET放大电路有多种结构，其中单电源结构最为常见。单电源结构的FET放大电路通常包括源电容，控制极电阻（G=R），源极电阻，漏极电阻，以及放大器输出电路。其工作原理是：根据信号的大小控制电流通过控制极的电阻，当信号的大小变化时，电流通过控制极的电阻也会随之变化，从而实现信号放大的作用。通过控制源极、漏极电阻的大小，可以调节放大电路的增益，从而实现信号放大的效果。
总之，FET放大电路是实现高质量音频放大的一种重要技术，它可以灵活满足非常多的设计需求，由此可见，场效应管在实现高效放大的应用场合发挥重要作用。虽然FET在工作中具有许多优点，但难免也会遇到不同的问题，因此在设计过程中应注意去避免这些问题，从而达到更佳的放大效果。
