结型场效应管和mos管均属于半导体元件，是一类用于放大或降低信号的器件，是电子设备中的重要元件。两者的结构和工作原理有很多不同，从而可以对它们进行对比。
首先，在结构上，Mos管是一种片式IC，但jfet是一种器件，由无源管和两条极性极导体构成。两种结构的相似之处在于它们都具有三个导体，即源端，漏端和控制端。然而，mos管的控制门是由一层极薄的可擦写硅氧烷构成的，而jfet的控制件则是一块厚度大约是气体分子的金属键合件。此外，mos管有三种类型，即pmos，nmos和cmos，而jfet只有n型和p型。
其次，在工作原理方面，jfet的原理是由于晶体管的漏极端和源极端之间存在类比影响，当晶体管的控制极导通时，就会使两端的流量不等，而mos管则是由晶体管的阈值电压影响的。当两端的控制极已经导通时，就会通过阈值电压来控制该电流的开启或关闭。由此可见，mos管是由晶体管的阈值电压控制的，而jfet类似电压放大器。
总的来说，结型场效应管与Mos管均具有优点，比如对输入特性的幅度响应能力，对失真的较低抑制，增益带宽比更高。然而，mos管具有更高的输入阻抗，更少的失真，更高的动态范围和更低的电流变化，而结型场效应管则具有更少的动态范围，更大的电流变化。因此，应根据应用特定领域的工作性能和功耗要求来选择最适当的元件。
