场效应管典型电路简介

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场效应管典型电路简介

效应管(Field-Effect Transistor, FET)是一种由半导体材料组成的三极开关元件,是电子学中一种可控开关。它的工作机制是通过操纵场效应在半导体表面积生成的导电通道来对信号的量化和控制的。其典型电路可按所做功能分为信号放大电路、调节电路、电流放大电路、缓冲电路、比较电路、限幅电路等几大类。

通常情况下,场效应管可分为三种:沟道型(JFET)、金氧半型(MOSFET)和双极JFET。其中最常见且发挥最亮的表现就是JFET,因为它的结构简单,制作成本低,但是性能也较差。MOSFET可以通过改变沟道电阻来调整电路,因而可以实现更佳的灵敏度和带宽,但制作成本较高。双极JFET具有双极极性,极具灵活性,结构比较复杂,适用性较为全面。

场效应管的典型电路主要由放大器,改变极化效果而形成的缓冲电路,比较电路,开封放大电路,缺点补偿的放大电路等组成,具有高增益、高静态三极特性、低电平输出、良好的抗干扰性能等优点,该典型电路有着可靠的施密特正交稳定性和精准的波形整容性等,且可作为信号处理仪表、智能器件、通讯系统、高灵敏度传感器等众多应用领域,是高性能、低成本半导体电路的基本组成部分。

综上,场效应管典型电路具有快速响应、低噪声、良好的静态工作特性,并且施密特正交性能优异、抗外界幅射电磁场的影响程度最高。它为电子 are many applications. 电子设备提供了更多布局的内部、器件之间的多种连接方式,具有极为广泛的应用前景。

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