IGBT（晶体管启动型可控硅）作为交流/直流半导体电路中的关键器件，用于驱动低压电机、调节电压和频率，受到广泛关注。在IGBT电路中，电阻起到了电流检测、限制、再生和驱动的重要作用。因此，选择和计算IGBT驱动电阻的重要性尤为强调。
IGBT驱动电阻的计算确保IGBT驱动电路的稳定工作，它的选择主要取决于IGBT的晶体管类型、电源电压、触发信号，以及输出负载类型等因素。而驱动电阻的工作范围，又受到IGBT驱动电路中负载就绪/消失的延迟时间焦点、功率，以及反向电流的角度控制等因素的影响，也同时受到环境温度变化等微弱因素的影响。艰苦和繁琐的计算使得确定驱动电阻的正确性所重要。
在IGBT驱动电路设计中，驱动电阻的计算有两个重要指标：1）考虑交流转换系统的周期启动瞬态失真；2）考虑IGBT的二极管击穿驱动电流波形失真和保护限制。因此，专家建议采用两步计算方法：第一步：根据IGBT可靠性和系统工作需要，计算IGBT功耗损失；第二步：计算IGBT的启动/关闭瞬态过程所需的负载就绪/消失延迟时间、功率及反向电流角度控制，其中前者的计算关键以及难度最大。
从以上可以看出，IGBT驱动电阻的计算具有至关重要的意义。如此，只有充分考虑环境因素和功耗损失，才能保证IGBT驱动电路的可靠性和系统的安全性。
