近年来，随着半导体技术的发展，场效应管（FET）已成为功率放大器和滤波器的重要组件。由于采用原始场效应管不能达到预期的性能，场效应管封装技术势在必行。为了改善信号传输的效果，保证整个系统性能最佳化，实现其优良的性能，业界开始建立封装技术。
场效应管封装是指将场效应管封装在一个导体和绝缘介质的结构中，通常称为封装体。由于场效应管器件的尺寸较小，重量较轻，以及其能在低电压情况下正常工作，因此，它已成为半导体集成电路设计的重要组成部分。场效应管封装的设计是提高半导体技术性能的关键，决定了半导体技术中信号完整性和电磁兼容性的好坏。
在封装技术中存在着各种各样的类型，包括表面安装封装、通孔安装封装、非金属封装和晶振封装等。这些类型的封装技术主要用于改善FET器件的引线传输，以便获得满足要求的传输特性和电平结构。通过使用这些封装技术，可以最大限度地改善FET传输性能，提高器件性能，从而提高整个系统的性能水平。
此外，针对具有热效应的场效应管，在其封装中可以采用一些层状的结构，将FET放入一个导电的隔离外壳中，从而改善其热散热性能，进一步优化其性能。
从上面可以看出，场效应管封装技术已经成为半导体技术的一个重要组成部分，可以改善FET传输性能、提高器件性能，实现更佳的系统性能。它不但把传统的封装技术带入新的高度，而且是提高半导体技术水平的主要手段，是现代电子设备发展的催化剂。
