MOS管是由英文Metal Oxide Semiconductor缩写而来，是指一种金属氧化物半导体（MOS）管。作为一种电力器件，它最初是由美国电子工程师罗伯特·威尔俊斯（Robert N.Noyce）于1959年发明的，后来发展了三种MOS管，包括金属氧化物场效应管（MOSFET）、金属氧化物双极管（MOSCAP）和行波MOS管（MOV）。
MOSFET是金属氧化物场效应管，它是电子器件中的一种管，主要用于场效应放大器组的设计。和普通的芯片晶体管（BJT）相比，MOSFET不仅具有高效和低功耗特性，而且它的动态电流噪声更小，对于处理器中的某些应用是有利的。
MOSCAP是金属氧化物双极管，它是一种电容式器件，可以在敞口路中作为电容来使用。结合MOSCAP和MOV可以产生非常高的放大增益，对于电路中的某些部分而言是必不可少的。
MOV是行波MOS管，它是基于金属氧化物场效应管（MOSFET）的技术，是一种电子器件，具有低功耗，高灵敏度，高带宽，长寿命和无耗端等特性。由于它是基于MOS管的，因此其相当于其他传统的MOS管，也可以被称为场效应管。
总的来说，MOS管可以被称为场效应管，它主要由三种组件构成，即MOSFET，MOSCAP和MOV，它们都具有高效、低功耗、高灵敏度、高带宽、长寿命和无耗端特性，是电子电路的重要组成部分。
