场效应管（Field Effect Transistor，即FET）也叫材料效应管，与普通的晶体管及双极型电子管不同，它们将控制信号与所控制的信号完全隔离，所以在汽车、电力调节器、微处理器等多种电子设备中都被大量应用。
场效应管参数由gate（门极），source（源极）和drain（漏极）组成，它们和晶体管不同，晶体管有三个极，而场效应管却有两个极，只有在modulation（调制）时场效应管才会有第三个极。
门极电容（gate capacitance）是场效应管的最重要参数，它决定了该场效应管的电流性能和响应速度。
源极漏极间的输出电阻（drain RDS）是场效应管参数，它决定了FET的开关容量，该参数通常由FET的结构来决定。
此外，场效应管还有其他参数如输入阻抗（input R），开关功率损耗（power dissipation），关断时间（off current），绝缘电阻（ insulation resistance），运行温度（operation temperature）等，它们对FET的正常运行有着至关重要的作用。
在器件采用过程中，需要确保采用的器件参数符合FET设计要求，否则可能会影响设备的调节效果，甚至导致设备故障或者失效。
总之，场效应管参数是其正常使用的重要标准，要正确把握它们的特性，从而保证设备的正常运行。
『场效应管参数特性剖析』
