真空电容是以真空作为介质制作而成的电容器，有并联、串联，单端稳定，双端稳定等极性多样，具有良好的阻容性能。
真空电容介质以纯钼板、氩弧双金属，微波器械，特高真空双金属，特高真空线圈，碳化硅分叉膜层，电子材料介质以及高介电性材料为主要材料。电容主要技术指标包括容量大小、可靠性、耐压、绝缘性、下压系数、频率特性、湿度特性、绕组漏感特性、低温特性以及温度特性，等等。
真空电容的可靠性要求极高，虽然它的材料和工艺复杂，但是经过高性能涂覆或双金属及双金属结构复合技术，可以有效降低死角区，提高可靠性和耐压性的特性。
真空电容的耐压特性比普通空气介质电容具有较大的优势，其耐压范围在500V-3000V。但由于它的制造工艺复杂，使其价格也不低。耐压特性是指其在特定的电压作用下，能够维持较长时间的稳定性。
真空电容的绝缘特性有着非常重要的意义，它可以有效地采用薄膜电容降低横波隔离电路中膜的损耗，保证绝缘特性好，可以提高信号的精确性和成像稳定性。
