场效应管（FET）是一种新型半导体元件，它是通过利用能带结构中氧化物层上的场效应来在极小的电流和电压下直接控制电流流动的。与普通的晶体管不同，FET是一种受控发射的晶体管，它可以用小的电压来控制很大的电流。FET作为一种半导体器件，性能优异，热稳定性好，质量要求高，因此检测FET的准确性和可靠性非常重要。
FET检测方法主要包括：1、以矩阵或非矩阵方式测量栅极的电阻；2、直接测量输出电压；3、采用正向和反向工作方式量测晶体管的泄漏特性。在这些方法中，采用正向和反向工作方式量测晶体管的泄漏特性最适合检测FET。
在这种方式下，首先将FET的栅极连接到直流电源，电流从源极流向漏极。从漏极卸载的电流称为负载电流。在此负载电流的前提下，测量栅极上的电压和漏极上的电压，以确定FET的工作状态，并确定其特性参数，极坐标系的参数如电容和静电容等。此外，根据漏极的反向特性，在正向特性下，测量栅极上的电压，以确定输入电容特性参数；在反向特性下，测量漏极上的电压，以确定其输出电容的特性参数。
以上就是FET的检测方法，有助于理解和控制FET特性，并确保FET的准确性和可靠性。
