场效应管（Field Effect Transistors, FET）是由结构简单的准三端器件构成的电子器件，它主要是通过场效应产生导通，因此又被称为场效应晶体管（FET）。在结构上，FET的三引脚主要有源引脚、漏极引脚和控制器引脚。其中，源引脚用于输出信号，漏极引脚用于输入信号，控制器引脚用来控制输入输出之间的电分立效果。
场效应管的三个引脚均为金属元件，同时具备电压控制的特性，可以根据输入信号来控制电流的流动，从而实现信号的放大或者控制。在一般情况下，场效应管的三个引脚分别称为源极（S）、漏极（D）和控制极（G），只有控制极（G）能够通过外界电压来控制场效应管的导通特性，因此控制极（G）被称为可控制端。
同时，场效应管的引脚可以有相应的隔离性能，源引脚和漏极引脚之间隔离近乎完全，相互之间也能隔离较大的电流；而源引脚和控制器引脚之间更是高度隔离，使得场效应管的控制精细，精确度更高。此外，场效应管的三个引脚可以灵活的组合成各种形式的管脚，用于不同电路的构建。
总之，场效应管的三个引脚都具有特殊的作用，源引脚用于输出信号，漏极引脚用于输入信号，控制器引脚上可以控制场效应管的导通特性。这些特性使得场效应管的三个引脚具有良好的应用前景，广泛应用于各种电子电路中。
