场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）是控制电路因素的能量储存器，其结构类似于普通的晶体管，有三个端子，即源极（Source）、漏极（Drain）和屏蔽极（Gate）。屏蔽极与源极和漏极之间形成一个可变的二极管，而且只需要一个极性的电压就可以控制持续的电流。场效应管的优势在于它比寻常的晶体管更加灵活和可生产，也被用于构建功率放大器，快速开关系统和控制电路。
场效应管有多种类型，其中最常用的是MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor），由晶体管制造的MOSFET几乎可以被用于所有的电路中，只要其外形和参数满足需求。它们可以用于放大小信号，构建无源电路，或者控制大电流的传送。因为它们极具灵活性，它们在微电子技术领域取得了巨大成功。
在电路设计中，场效应管是非常实用的，它可以利用极少的能量来改变大电流。它可以实现持续电流的可控，这种电流是普通二极管所不能比拟的。因此，在电子设备的开发中，它可以帮助用户节省电能，也减少了能源的浪费。
总之，场效应管是一种重要的电子元件，可以用来控制电路。它可以用于实现多种功能，基本上可以说是任何电子系统的必备部件。
